• MOSFETs à N-canal au silicium planar JH2302B dans le paquet SOT-23 pour des applications polyvalentes
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MOSFETs à N-canal au silicium planar JH2302B dans le paquet SOT-23 pour des applications polyvalentes

MOSFETs à N-canal au silicium planar JH2302B dans le paquet SOT-23 pour des applications polyvalentes

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Chine
Certification: ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 3,000 pièces
Prix: Negotiable
Délai de livraison: Temps de livraison en haute saison: un mois hors saison Temps de livraison: dans les 15 jours ouvrab
Conditions de paiement: LC, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 10000000000 pièces/an
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Détail Infomation

Modèle N°.: Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est de: Couleur: Noir
La structure: Planaire Matériel: de silicium
Le paquet: Le SOT-23 Paquet de transport: BANDE MAGNÉTIQUE
Spécification: Emballage en plastique Marque déposée: JF, JH
Origine: Chine Code du SH: 85411000
Capacité d'approvisionnement: 10000000000 pièces/an

Description de produit

Description du produit

MOSFET d'amélioration du canal N
Composant électronique

Numéro de pièce: JH2302B

Paramètre majeur:
 

Le type Le canal Le VDSS ((V)
(maximum)
Identifiant (A)
(maximum)
PD ((W)
(maximum)
VGS(V)
(maximum)
VTH ((V) Rds ((on) ((Ω)
Le type de l'appareil
Rds ((on) ((Ω)
Le nombre d'unités d'alimentation doit être identifié.
Rds ((on) ((Ω)
@2.5V ((Typ)
Protection ESD pour G-S ((Y/N) Le schéma
Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est de: N 20 3.0 0.7 ± 10 0.5 à 1.5   0.038 0.052   Le SOT-23
JH2302A N 20 4.3 1 ± 10 0.55 à 1.25   0.021 0.029  
JH2300A N 20 4.5 1 ± 10 0.45 à 1.00   0.0195 0.025 Y
JH3416A N 20 7.0 1.3 ± 12 0.45 à 1.00   0.013 0.017  
JH2312A N 20 6.8 1.2 ± 10 0.45 à 1.00   0.0135 0.017  
JH2304A N 30 3.6 1 ± 20 1.0 à 2.2 0.03 0.04    
JH3400A N 30 5.6 1.2 ± 12 0.65 à 1.5 0.021 0.025 0.033  
Le nombre total d'unités N 30 4.0 1 ± 20 1.0 à 2.2 0.028 0.046    
JH3404A N 30 5.6 1.2 ± 20 1.0 à 2.2 0.023 0.027    
JH2356 N 40 5.0 1.2 ± 20 0.8 à 1.8 0.03 0.04    
BSS138 N 50 0.34 0.35 ± 20 0.8 à 1.6 1.1 1.2    
2N7002 N 60 0.34 0.35 ± 20 1.0 à 2.5 1.2 1.3    
Pour les appareils à commande numérique N 60 0.34 0.35 ± 30 1.0 à 2.5 1.2 1.3    
2N7002K N 60 0.34 0.35 ± 20 1.0 à 2.5 1.3 1.4   Y
D3N06T-D10 N 60 3.0 1.2 ± 20 1.0 à 2.0 0.081 0.01    
JH2310 N 60 3.0 0.35 ± 20 0.5 à 2.0 0.105 0.125    
BSS123 N 100 0.2 0.35 ± 20 1.0 à 2.5 3.0 3.5    

Marque:JF et

Le paquet:Le SOT-23
Nom du fabricant:Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd. a été créée en 2005 par la société Jinan Jingheng Electronics.
Caractéristiques: 
Puissance de la tranchée LV Technologie du MOSFET

 
 


SMD N-CHANNEL MOSFETS JH2302B WITH SOT-23 PACKAGESMD N-CHANNEL MOSFETS JH2302B WITH SOT-23 PACKAGESMD N-CHANNEL MOSFETS JH2302B WITH SOT-23 PACKAGE

Profil de l'entreprise

SMD N-CHANNEL MOSFETS JH2302B WITH SOT-23 PACKAGE
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Je suis intéressé à MOSFETs à N-canal au silicium planar JH2302B dans le paquet SOT-23 pour des applications polyvalentes pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
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