• Carton de diode de Schottky au carbure de silicium 20A/1200V SIC SC20120PT avec emballage TO-247AB
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Carton de diode de Schottky au carbure de silicium 20A/1200V SIC SC20120PT avec emballage TO-247AB

Carton de diode de Schottky au carbure de silicium 20A/1200V SIC SC20120PT avec emballage TO-247AB

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Chine
Certification: ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 3,000 pièces
Prix: Negotiable
Délai de livraison: Temps de livraison en haute saison: un mois hors saison Temps de livraison: dans les 15 jours ouvrab
Conditions de paiement: LC, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 10000000000 pièces/an
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Modèle N°.: Le nombre de points de contact est le suivant: Matériel: de silicium
Paquet de transport: Cartonné Spécification: Cartonné
Marque déposée: JF Origine: Chine
Code du SH: 854110000 Capacité d'approvisionnement: 500000 pièces par mois

Description de produit

 
Description du produit

DIODE SCOTTKY au carbure de silicium
Composant électronique

Numéro de pièce: SC20120PT

Paramètre majeur:

Le type VRRM Si IR25oC) IR ((175)oC) VF ((25oC) VF ((175)oC) Tj Le schéma
V Une μA μA V V oC
Le nombre de points de contact est le suivant: 1200 2x10 5 50 1.8 2.5 175 TO-247AB
Le nombre de personnes concernées par le présent règlement est le suivant: 1200 2x15 5 50 1.8 2.5 175
Le nombre total de personnes concernées est de: 1200 2 x 20 5 50 1.8 2.5 175

Marque:Logo JF

Le paquet:TO-247AB
Nom du fabricant:Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd. a été créée en 2005 par la société Jinan Jingheng Electronics.
Définition:

SIC Schottky Diode n'a pas de perte de commutation, offre une meilleure efficacité du système par rapport aux diodes Si en utilisant un nouveau matériau semi-conducteur - le carbure de silicium, permet une fréquence de fonctionnement plus élevée,et contribue à augmenter la densité de puissance et à réduire la taille/le coût du systèmeSa fiabilité élevée assure un fonctionnement robuste en cas de surtension ou de surtension.

Caractéristiques:

· Température maximale de jonction 175°C
· Capacité de courant à haute tension
· Coefficient de température positive
· Facilité de mise en parallèle
· Aucune récupération inverse
· Aucun recouvrement anticipé

Applications: 
· Objectif général
• SMPS, onduleur solaire, UPS
· Circuits de commutation de puissance

Silicon Carbide Schottky Diode 20A/1200V SIC SC20120PT With TO-247AB PackageSilicon Carbide Schottky Diode 20A/1200V SIC SC20120PT With TO-247AB Package

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Silicon Carbide Schottky Diode 20A/1200V SIC SC20120PT With TO-247AB Package

Profil de l'entreprise

Silicon Carbide Schottky Diode 20A/1200V SIC SC20120PT With TO-247AB Package
Silicon Carbide Schottky Diode 20A/1200V SIC SC20120PT With TO-247AB Package
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Silicon Carbide Schottky Diode 20A/1200V SIC SC20120PT With TO-247AB Package
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Merci!
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