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SOT-23 Package 60V 230mA N-CHANNEL MOSFET 2N7002K pour les appareils supérieurs et en silicium
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Certification: | ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949 |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 3,000 pièces |
|---|---|
| Prix: | Negotiable |
| Délai de livraison: | Temps de livraison en haute saison: un mois hors saison Temps de livraison: dans les 15 jours ouvrab |
| Conditions de paiement: | LC, T/T, Paypal |
| Capacité d'approvisionnement: | 10000000000 pièces/an |
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Détail Infomation |
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| Modèle N°.: | 2N7002K | Intensité lumineuse: | Aucune luminance |
|---|---|---|---|
| Couleur: | Aucune luminance | La structure: | Canal de N |
| Matériel: | de silicium | VDSS (MAX): | 60 V |
| Identifiant (MAX): | 0.34A | Paquet de transport: | BANDE MAGNÉTIQUE |
| Spécification: | Type de SMD | Marque déposée: | JF |
| Origine: | Chine | Code du SH: | 85411000 |
| Capacité d'approvisionnement: | 10000000000 pièces/an | Taille du colis: | 20.00cm * 40.00cm * 15.00cm |
| Poids brut du colis: | 8.000kg | ||
Description de produit
Le mode de renforcement du N-CHANNEL MOSFET 2N7002K
Composant électronique
Numéro de pièce: 2N7002K
Paramètre majeur:
| Le type | Le canal | VDSS(V) (maximum) | Je suis...D(A) (maximum) | PD(W) (maximum) | VGS(V) (maximum) | VLe TH(V) | Rds(sur)(Ω) @10V (Types) | Rds(sur)(Ω) @4,5 V (Types) | Rds(sur)(Ω) @2,5 V (Types) | Protection ESD pour G-S ((Y/N) | Le schéma |
| 2N7002 | N | 60 | 0.34 | 0.35 | ± 20 | 1.0~2.5 | 1.2 | 1.3 | Le SOT-23 | ||
| Pour les appareils à commande numérique | N | 60 | 0.34 | 0.35 | ± 30 | 1.0~2.5 | 1.2 | 1.3 | |||
| 2N7002K | N | 60 | 0.34 | 0.35 | ± 20 | 1.0~2.5 | 1.3 | 1.4 | Y |
Marque:JF et
Le paquet:Le SOT-23
Nom du fabricant:Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd. a été créée en 2005 par la société Jinan Jingheng Electronics.
Caractéristiques:
·La technologie MOSFET de Trench Power MV
·Commutateur de signal de petite taille régulé par tension
·Faible capacité d'entrée
·Protégé contre l'ESD jusqu'à 2,5KV ((HBM)
·Faible capacité d'entrée
·Protégé contre l'ESD jusqu'à 2,5KV ((HBM)
Applications:
·Systèmes à batterie
·Relais à l'état solide
·Interface directe au niveau logique:TTL/CMOS
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